智通财经APP获悉，年底纳米TechInsights平台最新发布了T1-2025 DRAM视频简报。预计该简报提供了DRAM技术的将迈技术节点XM市场动态详细信息、路线图更新、位数趋势、年底纳米比较以及前景展望。预计D1a和D1b是将迈技术节点市场上的主流产品。2027年底，位数TechInsights预计DRAM将迈入个位数纳米技术节点，年底纳米XM市场动态如D0a，预计随后将是将迈技术节点0b和0c世代。

2025年第一季度，位数市场上将首次推出D1c的年底纳米一小部分产品，首先由SK海力士推出。预计D1c世代将在2026年和2027年占据主导地位，将迈技术节点包括HBM4 DRAM应用。从市场角度看，HBM产品，尤其是HBM3和HBM3E，性能卓越但目前价格高昂，而传统产品如LPDDR5和DDR5器件则价格较低且性能相对较弱。

未来AI和数据中心将需要更高的单个裸晶的内存容量，例如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，但目前市场上主流仍是16 Gb裸晶。在更高密度的DRAM芯片中，应开发3D DRAM架构，如4F2垂直沟道晶体管 (VCT) 单元、IGZO DRAM单元或3D堆叠DRAM单元，并在10纳米以下级别节点（个位数节点）实现产品化，尤其是三星、SK海力士和美光等主要厂商，作为下一代DRAM缩放的候选方案。